Vishay TrenchFET® Gen IV SIDR638DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

RS Best.-Nr.:: 200-6839
Herst. Teile-Nr.:: SIDR638DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SIDR638DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Voraussichtlich ab 19.06.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

2,137 €

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3000 +	2,137 €	6.411,00 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6839
Herst. Teile-Nr.:: SIDR638DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Document- SIDR638DP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8DC
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,00088 Ω, 0,00116 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SIDR638DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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