Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6839
Herst. Teile-Nr.:
SIDR638DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET Gen IV

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

204nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15 mm

Höhe

0.61mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIDR638DP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung

100 % Rg- und UIS-getestet

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