STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

794,85 €

(ohne MwSt.)

945,87 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +26,495 €794,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5485
Herst. Teile-Nr.:
SCTW100N65G2AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

420W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Höhe

34.95mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links