STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247

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219-4228
Herst. Teile-Nr.:
SCTW40N120G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW40N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

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