Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin AUIRFP4110 TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7345
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4110
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin AUIRFP4110 TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

11,69 €

(ohne MwSt.)

13,912 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

Zusätzlich 280 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	5,845 €	11,69 €
10 - 18	5,20 €	10,40 €
20 - 48	4,85 €	9,70 €
50 - 98	4,50 €	9,00 €
100 +	4,21 €	8,42 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7345
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4110
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	45mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	370W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.87mm
	Höhe	5.31mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	20.7 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 370W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.87mm
	Höhe 5.31mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 20.7 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AUIRFP4110

Diese HEXFET Leistungs-MOSFETs von Infineon AUIRFP4110 wurden speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

175 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin AUIRFP4110 TO-247

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Links