Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 171 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 222-4611
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4611
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 171 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0059 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 171 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0059 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
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