Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
236-4397
Herst. Teile-Nr.:
BSS126IXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET vom Verarmungstyp von Infineon ist bleifrei, RoHS-konform und gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen. Es hat das branchenübliche Qualifikationsniveau.

Hohe Systemzuverlässigkeit

Umweltfreundlich

Platz- und Kosteneinsparung auf der Leiterplatte

dv/dt bewertet

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