Infineon IMW120R007M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 3-Pin TO-247

Der Infineon CoolSiC 1200 V, 7 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik. Die CoolSiC-MOSFETs sind ideal für harte und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und Gleichspannungswandler oder Wechselrichter.

VDSS - 1200 V bei T - 25 °C
IDCC - 225 A bei T - 25 °C
RDS(on) - 7 mohm bei VGS - 18 V, T - 25 °C
Sehr niedrige Schaltverluste
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) - 4,2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung