Vishay Si4948BEY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.4 A, 8-Pin SOIC

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256-7363
Herst. Teile-Nr.:
SI4948BEY-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4948BEY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Der Zweifach-P-Kanal 175° Mosfet iTime von Vishay Semiconductor ist halogenfrei.

TrenchFET Power Mosfet

Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine

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