Vishay Si4948BEY N-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / -2.4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,40 €

(ohne MwSt.)

10,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,68 €8,40 €
50 - 951,628 €8,14 €
100 - 2451,378 €6,89 €
250 - 9951,352 €6,76 €
1000 +0,986 €4,93 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7363
Herst. Teile-Nr.:
SI4948BEY-T1-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4948BEY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.15Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

MOSFET der Serie Si4948BEY von Vishay, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI4948BEY-T1-E3


Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und analoge Funktionen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine mäßige Strombelastbarkeit und Spannungsblockade in einem Halbleitergehäuse erfordern, das direkt auf der Leiterplatte montiert wird. Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und entspricht den gängigen Normen für elektronische Materialien, wodurch es für den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,15 Ω ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Sperrkapazität 60 V für Mittelspannungsschaltung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2,4 A für dauerhafte Lasthandhabung
• Gate-Drive-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Steuerspannungen
• Typische Gate-Ladung von 14,5 nC für vorhersehbares Schaltverhalten
• Verlustleistung von 1,4 W zur Unterstützung moderater thermischer Lasten

Anwendungen


• Geeignet für das Schalten von Stromschienenlasten in der Unterhaltungselektronik
• Ideal für umgekehrte Polarität oder High-Side-Schalter-Implementierungen
• Einsatz mit kompakten DC/DC-Wandlern in Platinen mit begrenztem Platzangebot
• Kann für Batterieschutz und Energiemanagement-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegel-Leistungssteuerung in industriellen Modulen

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Pins sollte ich auf der Leiterplatte planen?


Die Komponente wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, sodass das Design der Grundfläche mit den Standard-8-poligen SOIC-Muster für zuverlässige Lötverbindungen übereinstimmen sollte.

Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Baugruppen, die erhöhte Sperrschichttemperaturen oder Kaltstartbedingungen aufweisen.

Welche Durchlassspannungscharakteristik ist für die Berechnung der Schaltkreismarge relevant?


Das Gerät weist unter Bedingungen, die für seinen Leitpfad relevant sind, eine Durchlassspannung von -1,2 V auf, die bei der Schätzung von Spannungsabfällen in Leistungspfaden verwendet werden kann.

Gibt es Material- oder Umweltstandards, die für die Beschaffung gelten?


Das Teil entspricht der RoHS 2002/95/EG und entspricht den IEC 61249-2-21-Richtlinien für relevante Material- und Zusammensetzungsaspekte.

Verwandte Links