Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 256-7436
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIZ260DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0149Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Zweifach-N-Kanal 80 V (D-S) von Vishay Semiconductor verbessert seine optimierten Qgs, das Qgs-Verhältnis verbessert die Schaltereigenschaften und Anwendungen POL, synchroner Abwärtswandler, Telekommunikation DC, DC, Resonanzwandler, Motorantriebssteuerung.
TrenchFET gen IV Leistungs-MOSFETs
100 % Rg- und UIS-geprüft
Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe
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