Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8

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RS Best.-Nr.:
257-9298
Herst. Teile-Nr.:
IRF6674TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

Micro8

Serie

HEXFET

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET mx-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Doppelseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)

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