Infineon IPP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 36.23 A 171 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
273-3019
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R060CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36.23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

IPP

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Maximale Verlustleistung Pd

171W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Der Infineon 650 V Cool MOS CFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, in denen er eine erhebliche Effizienzverbesserung ermöglicht

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Umschaltung

Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung

Erhöhte Leistungsdichte ermöglicht

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