onsemi 5LP01SS-TL-E P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 70 mA 150 mW, 3-Pin SSFP
- RS Best.-Nr.:
- 774-0799P
- Herst. Teile-Nr.:
- 5LP01SS-TL-E
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 70 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V | |
| Gehäusegröße | SSFP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.4V | |
| Verlustleistung max. | 150 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 1.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,4 nC @ 10 V | |
| Breite | 0.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 70 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 50 V | ||
Gehäusegröße SSFP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.4V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 1.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,4 nC @ 10 V | ||
Breite 0.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.6mm | ||
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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