SI2318CDS-T1-GE3 N-Kanal MOSFET, 40 V / 5,6 A, 2,1 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 919-4205
  • Herst. Teile-Nr. SI2318CDS-T1-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5,6 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 51 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Verlustleistung max. 2,1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,8 nC @ 10 V
Länge 3.04mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 1.02mm
Breite 1.4mm
114000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,124
(ohne MwSt.)
0,148
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
0,124 €
372,00 €
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