- RS Best.-Nr.:
- 919-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
87000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,155 €
(ohne MwSt.)
0,184 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 - 3000 | 0,155 € | 465,00 € |
6000 + | 0,147 € | 441,00 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 919-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 51 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 2,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 3.04mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,8 nC @ 10 V |
Breite | 1.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 919-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal8 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2308BDS-T1-E3 N-Kanal1 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal4 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2369DS-T1-GE3 P-Kanal6 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2392ADS-T1-GE3 N-Kanal1 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2300DS-T1-GE3 N-Kanal6 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2393DS-T1-GE3 P-Kanal1 A SOT-23
- Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 6 A SOT-23-3 (TO-236)