Teile-Nr.

HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin

RS Best.-Nr.:
919-4898
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NPBF
Marke:
Infineon
Infineon

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50 - 501,121 €56,05 €
100 - 2001,087 €54,35 €
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919-4898
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NPBF
Marke:
Infineon
Ursprungsland:
CN

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:
CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon




Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.30 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeTO-220AB
Montage-TypDurchsteckmontage
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.68 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Höhe8.77mm
SerieHEXFET
Transistor-WerkstoffSi
Gate-Ladung typ. @ Vgs25 nC @ 5 V
Betriebstemperatur max.+175 °C
Betriebstemperatur min.–55 °C
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