Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55961 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 258-8196
  • Herst. Teile-Nr. IRF7306TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
11,21 €(ohne MwSt.)
1,121 €/Stück
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STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 20 A, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 261-5483
  • Herst. Teile-Nr. STD65N160M9
Zwischensumme (1 Stück)
3,52 €(ohne MwSt.)
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Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 240-6632
  • Herst. Teile-Nr. IQE030N06NM5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
5,28 €(ohne MwSt.)
2,64 €/Stück
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Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 249-3348
  • Herst. Teile-Nr. IPT039N15N5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
4.836,00 €(ohne MwSt.)
2,418 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
ROHM RQ7G080AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
  • RS Best.-Nr. 223-6376
  • Herst. Teile-Nr. RQ7G080ATTCR
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
6,39 €(ohne MwSt.)
0,639 €/Stück
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Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 48 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 188-5101
  • Herst. Teile-Nr. SQJ208EP-T1_GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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Vishay SUM60020E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 188-5107
  • Herst. Teile-Nr. SUM60020E-GE3
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Wolfspeed Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 72 A 520 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 192-3486
  • Herst. Teile-Nr. C2M0045170D
Zwischensumme (1 Stück)
109,05 €(ohne MwSt.)
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Vishay SiHG052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 204-7206
  • Herst. Teile-Nr. SIHG052N60EF-GE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.25 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 166-1716
  • Herst. Teile-Nr. FDN5618P
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
489,00 €(ohne MwSt.)
0,163 €/Stück
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Infineon BSR316P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59
  • RS Best.-Nr. 170-2356
  • Herst. Teile-Nr. BSR316PH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 99 A 88 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
  • RS Best.-Nr. 735-278
  • Herst. Teile-Nr. SQJ742EP-T1_GE3
Zwischensumme (1 Stück)
1,51 €(ohne MwSt.)
1,51 €/Stück
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Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 10.8 W, 4-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 178-5073
  • Herst. Teile-Nr. BSP613PH6327XTSA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
588,00 €(ohne MwSt.)
0,588 €/Stück
Nur noch Restbestände
Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 180-8299
  • Herst. Teile-Nr. IRF530SPBF
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
58,70 €(ohne MwSt.)
1,174 €/Stück
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Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -136.7 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
  • RS Best.-Nr. 735-202
  • Herst. Teile-Nr. SIR5207DP-T1-UE3
Zwischensumme (1 Stück)
0,78 €(ohne MwSt.)
0,78 €/Stück
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Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 70 A 170 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 124-8782
  • Herst. Teile-Nr. IRF4905STRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
921,60 €(ohne MwSt.)
1,152 €/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 302-022
  • Herst. Teile-Nr. IRLML2803TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
2,14 €(ohne MwSt.)
0,428 €/Stück
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onsemi NCP402045 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 20 V / 45 A 10.5 W, 33-Pin PQFN-31 (5 x 5 mm)
  • RS Best.-Nr. 333-411
  • Herst. Teile-Nr. NCP402045MNTWG
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)
8,77 €(ohne MwSt.)
1,754 €/Stück
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onsemi NCV Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 65 V 1.2 W, 8-Pin SOIC-8
  • RS Best.-Nr. 327-795
  • Herst. Teile-Nr. NCV8406DD1CR2G
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)
7,78 €(ohne MwSt.)
0,778 €/Stück
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Semikron Danfoss SEMITOP, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V / 100 A SEMITOPE1
  • RS Best.-Nr. 351-854
  • Herst. Teile-Nr. SK80MB120CR03TE1
Zwischensumme (1 Stück)
89,21 €(ohne MwSt.)
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