Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
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onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 761-9840P
  • Herst. Teile-Nr. FDN359AN
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
4,14 €(ohne MwSt.)
0,414 €/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 380 W, 8-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 130-1026P
  • Herst. Teile-Nr. IRLS3036TRL7PP
Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
9,77 €(ohne MwSt.)
4,885 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon BSC030N08NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 171-1978P
  • Herst. Teile-Nr. BSC030N08NS5ATMA1
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
17,28 €(ohne MwSt.)
1,728 €/Stück
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Vishay IRF9640S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 6.8 A 125 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 815-2676P
  • Herst. Teile-Nr. IRF9640STRRPBF
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
21,02 €(ohne MwSt.)
2,102 €/Stück
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Vishay Oberfläche Diode Standard-Gleichrichter Einfach, 600 V / 12 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 219-0101P
  • Herst. Teile-Nr. SE12DLJ-M3/I
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
11,38 €(ohne MwSt.)
1,138 €/Stück
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DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.4 A 8.9 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 751-4161P
  • Herst. Teile-Nr. DMN3024LK3-13
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
11,375 €(ohne MwSt.)
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onsemi Oberfläche Transistor PnP 25 V / 800 mA, SOT-23 3-Pin
  • RS Best.-Nr. 806-4415P
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Zwischensumme 200 Stück (geliefert auf Rolle)
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onsemi NTH4LN067N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 266 W, 4-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 221-6710P
  • Herst. Teile-Nr. NTH4LN067N65S3H
Zwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)
13,69 €(ohne MwSt.)
6,845 €/Stück
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onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 229-6453P
  • Herst. Teile-Nr. NTD360N65S3H
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
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2,638 €/Stück
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Infineon IAUA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 5-Pin HSOF
  • RS Best.-Nr. 229-1790P
  • Herst. Teile-Nr. IAUA180N04S5N012AUMA1
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
13,38 €(ohne MwSt.)
2,676 €/Stück
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Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip Oberfläche 23.77 V / 500 mW max, DO-219AC (MicroSMF) 2-Pin
  • RS Best.-Nr. 218-6502P
  • Herst. Teile-Nr. PLZ24B-HG3_A/H
Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
6,30 €(ohne MwSt.)
0,063 €/Stück
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Bourns CD214 Oberfläche Diode Geringer Verlust Einfach, 1600 V / 1 A, 2-Pin DO-214AC
  • RS Best.-Nr. 209-8030P
  • Herst. Teile-Nr. CD214A-S1Y
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
10,10 €(ohne MwSt.)
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Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A 187 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 258-3791P
  • Herst. Teile-Nr. IPB032N10N5ATMA1
Zwischensumme 1 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
4,44 €(ohne MwSt.)
4,44 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
ROHM AW2K21 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V 1.6 W, 22-Pin WLCSP-2020
  • RS Best.-Nr. 687-361P
  • Herst. Teile-Nr. AW2K21AR
Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
2,77 €(ohne MwSt.)
1,385 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
DiodesZetex MURS160A Oberfläche Gleichrichter & Schottky-Diode, 600 V DO-214AC (SMA)
  • RS Best.-Nr. 254-8752P
  • Herst. Teile-Nr. MURS160A
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
1,775 €(ohne MwSt.)
0,071 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
DiodesZetex AEC-Q101 TVS-Diode Bidirektional 90 W 2.6 V min., Leiterplattenmontage X2-DFN1006-2
  • RS Best.-Nr. 254-8550P
  • Herst. Teile-Nr. D2V5L1BS2LP4-7B
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
1,17 €(ohne MwSt.)
0,117 €/Stück
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Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263
  • RS Best.-Nr. 257-9436P
  • Herst. Teile-Nr. IRFS4620TRLPBF
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
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3,022 €/Stück
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Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 244-9740P
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R145CFD7ATMA1
Zwischensumme 1 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
3,79 €(ohne MwSt.)
3,79 €/Stück
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STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 111-6487P
  • Herst. Teile-Nr. STW70N60DM2
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)
10,02 €(ohne MwSt.)
10,02 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
onsemi 2N7002T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SC-89
  • RS Best.-Nr. 805-1132P
  • Herst. Teile-Nr. 2N7002T
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)
8,40 €(ohne MwSt.)
0,168 €/Stück
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