Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 35 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 920-8723
  • Herst. Teile-Nr. STP10NK60ZFP
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
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1,896 €/Stück
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DiodesZetex Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 700 mW, 3-Pin E-Leitung
  • RS Best.-Nr. 922-7939
  • Herst. Teile-Nr. ZVP2106A
Zwischensumme (1 Beutel mit 4000 Stück)
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Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60.6 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9940
  • Herst. Teile-Nr. SIR4409DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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1,97 €/Stück
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Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 37.1 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9953
  • Herst. Teile-Nr. SIR5623DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)
10,10 €(ohne MwSt.)
2,525 €/Stück
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Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 354-5720
  • Herst. Teile-Nr. BSP149H6327XTSA1
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STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 45 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 486-2206
  • Herst. Teile-Nr. STP16NF06
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 671-1080
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onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
  • RS Best.-Nr. 325-7580
  • Herst. Teile-Nr. RFD14N05L
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Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
  • RS Best.-Nr. 541-1691
  • Herst. Teile-Nr. IRFD120PBF
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Vishay IRF9530S Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 88 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 650-4176
  • Herst. Teile-Nr. IRF9530SPBF
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onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 3.75 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 671-0902
  • Herst. Teile-Nr. FQB50N06LTM
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Semelab Gemeinsame Quelle TetraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 70 V Erweiterung / 10 A, 5-Pin DK
  • RS Best.-Nr. 738-7663
  • Herst. Teile-Nr. D1008UK
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onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 671-0949
  • Herst. Teile-Nr. FQD11P06TM
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 761-3574
  • Herst. Teile-Nr. RFD16N05LSM9A
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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DiodesZetex DMN5L06K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 708-2428
  • Herst. Teile-Nr. DMN5L06K-7
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Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 7.4 A, 6-Pin TSOP-6
  • RS Best.-Nr. 256-7353
  • Herst. Teile-Nr. SI3438DV-T1-GE3
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Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 768-9332
  • Herst. Teile-Nr. SiHG47N60E-GE3
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DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6 A 2.1 W, 6-Pin UDFN
  • RS Best.-Nr. 770-5291
  • Herst. Teile-Nr. DMP4047LFDE-7
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4,54 €(ohne MwSt.)
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Wolfspeed Durchsteckmontage Diode Schottky-Diode Einfach, 1200 V / 10 A, 2-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 919-9761
  • Herst. Teile-Nr. C4D02120A
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
71,45 €(ohne MwSt.)
1,429 €/Stück
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Vishay VSX Panel Diode Schottky-Diode Einfach, 15 V / 120 A, 2-Pin D-67
  • RS Best.-Nr. 918-9688
  • Herst. Teile-Nr. VS-125NQ015PBF
Zwischensumme (1 Stange mit 20 Stück)
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