Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 145-8930
Herst. Teile-Nr.:: IRF3808STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 145-8930
Herst. Teile-Nr.:: IRF3808STRLPBF
Marke:: Infineon

IRF3808SPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	106 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	11.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	150 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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