Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-5324
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7430TRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

522A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

750μΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

305nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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