Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

RS Best.-Nr.:: 178-3720
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

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RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPak SO-8L Dual
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	30 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	34 W, 34 W
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC (N-Kanal) @ 10 V, 56 nC (P-Kanal) @ 10 V
Länge	5.99mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm

RS Best.-Nr.:: 178-3720
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

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