Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

RS Best.-Nr.:: 178-3893
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.

Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,114 €

(ohne MwSt.)

1,326 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	1,114 €	11,14 €
100 - 490	1,079 €	10,79 €
500 - 990	1,051 €	10,51 €
1000 +	1,024 €	10,24 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-3893
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPak SO-8L Dual
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	30 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	34 W, 34 W
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC (N-Kanal) @ 10 V, 56 nC (P-Kanal) @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5.99mm
Breite	5mm
Höhe	1.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

Vishay MOSFET

Eigenschaften und Vorteile

Zertifizierungen

Verwandte Produkte