STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247

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233-0475
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA70N120G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

91A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

547W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

34.8mm

Breite

15.6 mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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