Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
242-0306
Herst. Teile-Nr.:
IQE006NE2LM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

IQE

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

0.73V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Bleibeschichtung und RoHS-konform. Es wurde zu 100 % Avalanche geprüft.

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen

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