Infineon IQE006NE2LM5CGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 298 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 242-0307
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
2,275 €
(ohne MwSt.)
2,707 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,275 € | 4,55 € |
| 20 - 48 | 2,025 € | 4,05 € |
| 50 - 98 | 1,885 € | 3,77 € |
| 100 - 198 | 1,75 € | 3,50 € |
| 200 + | 1,61 € | 3,22 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 242-0307
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Bleibeschichtung und RoHS-konform. Es wurde zu 100 % Avalanche geprüft.
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen
Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 298 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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