Infineon IMW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
244-2920
Herst. Teile-Nr.:
IMW120R030M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IMW

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET IMW120R030M1HXKSA1 von Infineon im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-(Si-)basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.

Sehr niedrige Schaltverluste

Eigenschaft für schwellenfreien Zustand im eingeschalteten Zustand

Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich

Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V

0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung

Vollständig steuerbarer dV/dt

Robuste Gehäusediode für harte Kommutierung

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

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