- RS Best.-Nr.:
- 541-1180
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Marke:
- Infineon
198 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
458 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück
0,68 €
(ohne MwSt.)
0,81 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 24 | 0,68 € |
25 - 49 | 0,61 € |
50 - 99 | 0,57 € |
100 - 249 | 0,52 € |
250 + | 0,48 € |
- RS Best.-Nr.:
- 541-1180
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 9,7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 48 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Länge | 10.54mm |
Breite | 4.69mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 8.77mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 541-1180
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520NPBF
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF1010ZPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF3710PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF3315PBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRF520NSTRLPBF N-Kanal7 A 48 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET IRFZ44EPBF N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET IRFB4710PBF N-Kanal8 W, 3-Pin TO-220AB