HEXFET IRF520NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 9,7 A, 48 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 541-1180
  • Herst. Teile-Nr. IRF520NPBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 9,7 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 48 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.69mm
Höhe 8.77mm
Länge 10.54mm
Serie HEXFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff Si
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