SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal MOSFET, 40 V / 4,4 A, 2,5 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 919-4208
  • Herst. Teile-Nr. SI2319CDS-T1-GE3
  • Marke Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MERKMALE
• halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg geprüft
• Erfüllt RoHS-Direktive 2002/95/EG

ANWENDUNGEN
• Lastschalter
• DC/DC-Wandler

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 4,4 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 108 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Verlustleistung max. 2,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.02mm
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 3.04mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,6 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
45000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,176
(ohne MwSt.)
0,209
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 6000
0,176 €
528,00 €
9000 +
0,172 €
516,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.