onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 807-0776
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3440G2-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 807-0776
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3440G2-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor
Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.
Merkmale
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
RS-Produktcodes
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Hinweis
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.
Normen
AEC-Q101
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 26,9 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±10V |
| Verlustleistung max. | 166 W |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
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