Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55396 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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Derzeit nicht erhältlich
Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -21 A 3.1 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 257-5834
  • Herst. Teile-Nr. IRFH9310TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
5,89 €(ohne MwSt.)
1,178 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W TSOP-6
  • RS Best.-Nr. 257-9466
  • Herst. Teile-Nr. IRLTS6342TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
309,00 €(ohne MwSt.)
0,103 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263
  • RS Best.-Nr. 257-9434
  • Herst. Teile-Nr. IRFS4620TRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
712,00 €(ohne MwSt.)
0,89 €/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN
  • RS Best.-Nr. 257-9382
  • Herst. Teile-Nr. IRFH7440TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
8,58 €(ohne MwSt.)
1,716 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 57 A, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 258-0695
  • Herst. Teile-Nr. BSC112N06LDATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
5,21 €(ohne MwSt.)
2,605 €/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
  • RS Best.-Nr. 257-9422
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3206TRRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
6,12 €(ohne MwSt.)
3,06 €/Stück
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Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 258-0914
  • Herst. Teile-Nr. IAUC120N04S6L009ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
5,69 €(ohne MwSt.)
2,845 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 223 A, 8-Pin TSDSON
  • RS Best.-Nr. 258-0705
  • Herst. Teile-Nr. BSZ009NE2LS5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
4.090,00 €(ohne MwSt.)
0,818 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 63 W, 8-Pin TSDSON
  • RS Best.-Nr. 258-0715
  • Herst. Teile-Nr. BSZ084N08NS5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
2.700,00 €(ohne MwSt.)
0,54 €/Stück
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onsemi NTMFS0D8N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 337 A 150 W, 8-Pin DFN
  • RS Best.-Nr. 221-6728
  • Herst. Teile-Nr. NTMFS0D8N03CT1G
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
9,89 €(ohne MwSt.)
0,989 €/Stück
Auf Lager
DiodesZetex DMG1012UWQ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 0.29 W, 3-Pin SOT-323
  • RS Best.-Nr. 222-2824
  • Herst. Teile-Nr. DMG1012UWQ-7
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
246,00 €(ohne MwSt.)
0,082 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
onsemi NTMT150N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 192 W, 4-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 221-6738
  • Herst. Teile-Nr. NTMT150N65S3HF
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
9,27 €(ohne MwSt.)
4,635 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
ROHM Doppelt SP8M21 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 45 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOP
  • RS Best.-Nr. 222-4377
  • Herst. Teile-Nr. SP8M21HZGTB
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
2.270,00 €(ohne MwSt.)
0,908 €/Stück
Auf Lager
Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 222-4699
  • Herst. Teile-Nr. IPP60R099C7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
226,65 €(ohne MwSt.)
4,533 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.6 W, 4-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 222-4744
  • Herst. Teile-Nr. IRFH5250TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
2.540,00 €(ohne MwSt.)
0,635 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Vishay N-Kanal, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 500 V Erweiterung / 46 A 540 W, 3-Pin Super-247
  • RS Best.-Nr. 228-2860
  • Herst. Teile-Nr. SiHFPS40N50L-GE3
Zwischensumme (1 Stück)
9,96 €(ohne MwSt.)
9,96 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 228-2986
  • Herst. Teile-Nr. SUM90100E-GE3
Zwischensumme (1 Stange mit 800 Stück)
1.488,00 €(ohne MwSt.)
1,86 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon IPZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 48 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 229-1852
  • Herst. Teile-Nr. IPZ40N04S55R4ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)
7,605 €(ohne MwSt.)
0,507 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi SUPERFET III N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 16 A 32 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 229-6496
  • Herst. Teile-Nr. NTPF190N65S3H
Zwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)
2.076,00 €(ohne MwSt.)
2,076 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi SUPERFET V N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 184 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 230-9088
  • Herst. Teile-Nr. NTHL099N60S5
Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)
1.409,40 €(ohne MwSt.)
3,132 €/Stück
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