Vishay SIR418DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 165-7266
Herst. Teile-Nr.:: SIR418DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIR418DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Voraussichtlich ab 23.09.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

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(inkl. MwSt.)

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RS Best.-Nr.:: 165-7266
Herst. Teile-Nr.:: SIR418DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	23 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.1V
Verlustleistung max.	39 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.26mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	50 nC @ 10 V
Länge	6.25mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.12mm