Vishay SiR418DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 23 A 39 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.620,00 €

(ohne MwSt.)

1.920,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,54 €1.620,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-7266
Herst. Teile-Nr.:
SIR418DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR418DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Durchlassspannung Vf

0.71V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links