Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
243-9298
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8324TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IRFH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.2mm

Länge

6.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRFH8324TRPBF von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Niedriger Wärmewiderstand auf Leiterplatte <(2,3 °C/W)

Weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Flaches Profil <(1,2 mm)

Kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken

RoHS-konform, frei von Blei, Bromid und Halogen

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