Infineon IRFH N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 243-9299
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8324TRPBF
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,318 € | 6,59 € |
| 125 - 245 | 1,222 € | 6,11 € |
| 250 - 495 | 1,136 € | 5,68 € |
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- 243-9299
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8324TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Länge | 6.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Länge 6.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRFH8324TRPBF von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Niedriger Wärmewiderstand auf Leiterplatte <(2,3 °C/W)
Weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Flaches Profil <(1,2 mm)
Kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken
RoHS-konform, frei von Blei, Bromid und Halogen