Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

1,84 €

(ohne MwSt.)

2,19 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.890 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 450,368 €1,84 €
50 - 1200,332 €1,66 €
125 - 2450,308 €1,54 €
250 - 4950,286 €1,43 €
500 +0,268 €1,34 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9299
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8324TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IRFH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.2mm

Breite

5.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRFH8324TRPBF von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Niedriger Wärmewiderstand auf Leiterplatte <(2,3 °C/W)

Weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Flaches Profil <(1,2 mm)

Kompatibel mit vorhandenen SMD-Techniken

RoHS-konform, frei von Blei, Bromid und Halogen

Verwandte Links