Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon Einfach OptiMOS 3 N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 43 A 33 W, 3-Pin
  • RS Best.-Nr. 165-8110
  • Herst. Teile-Nr. IPA093N06N3GXKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
39,95 €(ohne MwSt.)
0,799 €/Stück
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 94 A 80 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-1794
  • Herst. Teile-Nr. FDD8896
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
685,00 €(ohne MwSt.)
0,274 €/Stück
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-1705
  • Herst. Teile-Nr. FDD390N15A
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.105,00 €(ohne MwSt.)
0,442 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 166-1667
  • Herst. Teile-Nr. FDT86106LZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
1.864,00 €(ohne MwSt.)
0,466 €/Stück
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Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor PnP -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 3-Pin
  • RS Best.-Nr. 243-4675
  • Herst. Teile-Nr. PDTA124XQCZ
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
190,00 €(ohne MwSt.)
0,038 €/Stück
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 11.4 A 56.8 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-3423
  • Herst. Teile-Nr. FDD770N15A
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.225,00 €(ohne MwSt.)
0,49 €/Stück
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 35 V / 55 A 57 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-2644
  • Herst. Teile-Nr. FDD6637
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.247,50 €(ohne MwSt.)
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 166-2604
  • Herst. Teile-Nr. FDS6375
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
730,00 €(ohne MwSt.)
0,292 €/Stück
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IXYS Q3-Class N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268
  • RS Best.-Nr. 168-4712
  • Herst. Teile-Nr. IXFT18N100Q3
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
391,35 €(ohne MwSt.)
13,045 €/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 96 A 480 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4492
  • Herst. Teile-Nr. IXFH96N15P
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
135,66 €(ohne MwSt.)
4,522 €/Stück
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IXYS Polar3 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 20 A 380 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4728
  • Herst. Teile-Nr. IXFH20N50P3
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
144,33 €(ohne MwSt.)
4,811 €/Stück
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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 16 A 330 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4727
  • Herst. Teile-Nr. IXFH16N50P3
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
144,33 €(ohne MwSt.)
4,811 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 94 A 1.04 kW, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4732
  • Herst. Teile-Nr. IXFH94N30P3
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
173,67 €(ohne MwSt.)
5,789 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, Durchsteckmontage MDmesh V Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin
  • RS Best.-Nr. 168-6694
  • Herst. Teile-Nr. STF16N65M5
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
97,80 €(ohne MwSt.)
1,956 €/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 380 W, 8-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 168-6005
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3004TRL7PP
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
1.200,00 €(ohne MwSt.)
1,50 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS X2-Class N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 120 A 1.25 kW, 3-Pin PLUS247
  • RS Best.-Nr. 168-4818
  • Herst. Teile-Nr. IXTX120N65X2
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
447,00 €(ohne MwSt.)
14,90 €/Stück
Auf Lager
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 125 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-6218
  • Herst. Teile-Nr. STP9NK60Z
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
65,75 €(ohne MwSt.)
1,315 €/Stück
Auf Lager
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 125 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-6702
  • Herst. Teile-Nr. STW5NK100Z
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
85,68 €(ohne MwSt.)
2,856 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Microchip PD70224 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 74 V / 2 A, 40-Pin QFN
  • RS Best.-Nr. 333-012
  • Herst. Teile-Nr. PD70224ILQ-TR
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
7.848,00 €(ohne MwSt.)
3,924 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-7500
  • Herst. Teile-Nr. STP26NM60N
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
196,80 €(ohne MwSt.)
3,936 €/Stück
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