Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
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Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 244-8543
  • Herst. Teile-Nr. IPD050N10N5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
2.710,00 €(ohne MwSt.)
1,084 €/Stück
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 349-313
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R600CM8XTMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
10,22 €(ohne MwSt.)
1,022 €/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 260-5147
  • Herst. Teile-Nr. IPD78CN10NGATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
862,50 €(ohne MwSt.)
0,345 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 249-6910
  • Herst. Teile-Nr. IPD90N03S4L03ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.697,50 €(ohne MwSt.)
0,679 €/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 249-6912
  • Herst. Teile-Nr. IPD90N06S405ATMA2
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.167,50 €(ohne MwSt.)
0,467 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 915-5014
  • Herst. Teile-Nr. IRFR3411TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
24,24 €(ohne MwSt.)
1,212 €/Stück
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Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 42 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 258-3852
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Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 81 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 249-6915
  • Herst. Teile-Nr. IPD90N10S406ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
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0,779 €/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 258-3849
  • Herst. Teile-Nr. IPD60N10S412ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
3,91 €(ohne MwSt.)
1,955 €/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 3.7 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 260-5137
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R2K1CEAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
485,00 €(ohne MwSt.)
0,194 €/Stück
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 75 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 260-5127
  • Herst. Teile-Nr. IPD110N12N3GATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 139 A, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 262-5862
  • Herst. Teile-Nr. IPD028N06NF2SATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
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0,621 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252
  • RS Best.-Nr. 257-9409
  • Herst. Teile-Nr. IRFR3806TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
7,80 €(ohne MwSt.)
1,56 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET N 100 V / 59 A 94 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 258-3832
  • Herst. Teile-Nr. IPD122N10N3GATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.455,00 €(ohne MwSt.)
0,582 €/Stück
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 71 A 65 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 348-899
  • Herst. Teile-Nr. IPD047N03LF2SATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
27,52 €(ohne MwSt.)
1,376 €/Stück
Auf Lager
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 139 A, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 262-5863
  • Herst. Teile-Nr. IPD028N06NF2SATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
14,98 €(ohne MwSt.)
2,996 €/Stück
Auf Lager
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 260-5142
  • Herst. Teile-Nr. IPD60R650CEAUMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
5,92 €(ohne MwSt.)
1,184 €/Stück
Auf Lager
Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 85 A 88 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 229-1834
  • Herst. Teile-Nr. IPD85P04P4L06ATMA2
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
1.165,00 €(ohne MwSt.)
0,466 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 100 A 63 W TO-252
  • RS Best.-Nr. 257-9461
  • Herst. Teile-Nr. IRLR6225TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
788,00 €(ohne MwSt.)
0,394 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 131 A, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 262-5864
  • Herst. Teile-Nr. IPD029N04NF2SATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
1.064,00 €(ohne MwSt.)
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