Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 166-0799
  • Herst. Teile-Nr. IPD100N04S402ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
2.037,50 €(ohne MwSt.)
0,815 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 73 W, 8-Pin WDFN
  • RS Best.-Nr. 864-4724
  • Herst. Teile-Nr. FDMS86104
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
3.450,00 €(ohne MwSt.)
1,15 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 214-9019
  • Herst. Teile-Nr. IPB45N06S4L08ATMA3
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
589,00 €(ohne MwSt.)
0,589 €/Stück
Auf Lager
Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 827-5120
  • Herst. Teile-Nr. IPD30N08S2L21ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
25,20 €(ohne MwSt.)
1,008 €/Stück
Auf Lager
onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN
  • RS Best.-Nr. 229-6489
  • Herst. Teile-Nr. NTMTSC4D3N15MC
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
13,42 €(ohne MwSt.)
6,71 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 864-8590
  • Herst. Teile-Nr. FDPF2710T
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
9,84 €(ohne MwSt.)
4,92 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 864-7941
  • Herst. Teile-Nr. FDB024N08BL7
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
10,08 €(ohne MwSt.)
5,04 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 864-8546
  • Herst. Teile-Nr. FDP2710
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
11,40 €(ohne MwSt.)
5,70 €/Stück
Auf Lager
onsemi NTP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-8910
  • Herst. Teile-Nr. NTP082N65S3HF
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
197,55 €(ohne MwSt.)
3,951 €/Stück
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onsemi NTBGS1D N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 221-6700
  • Herst. Teile-Nr. NTBGS1D5N06C
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
22,27 €(ohne MwSt.)
4,454 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 759-8927
  • Herst. Teile-Nr. FDB035AN06A0
Zwischensumme (1 Stück)
5,35 €(ohne MwSt.)
5,35 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
onsemi NTBGS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 342 A 245 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 221-6695
  • Herst. Teile-Nr. NTBGS001N06C
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
7.811,20 €(ohne MwSt.)
9,764 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
onsemi NTBGS1D N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 221-6699
  • Herst. Teile-Nr. NTBGS1D5N06C
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
2.304,00 €(ohne MwSt.)
2,88 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 185-8135
  • Herst. Teile-Nr. NTBS2D7N06M7
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
2.288,00 €(ohne MwSt.)
2,86 €/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 60 V / 195 A TO-220
  • RS Best.-Nr. 257-5839
  • Herst. Teile-Nr. IRFB7534PBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
18,05 €(ohne MwSt.)
3,61 €/Stück
Wird eingestellt
onsemi Einfach QFET N-Kanal 1, SMD MOSFET 800 V Erweiterung / 3.9 A 3.13 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 671-0908
  • Herst. Teile-Nr. FQB4N80TM
Zwischensumme (1 Stück)
2,28 €(ohne MwSt.)
2,28 €/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 86 A 75 W TO-252
  • RS Best.-Nr. 257-9464
  • Herst. Teile-Nr. IRLR8726TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
596,00 €(ohne MwSt.)
0,298 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Vishay Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin IPAK
  • RS Best.-Nr. 256-7322
  • Herst. Teile-Nr. IRFU9110PBF
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)
65,40 €(ohne MwSt.)
0,872 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 217-2631
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3207ZTRRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
1.526,40 €(ohne MwSt.)
1,908 €/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 183 A 290 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 273-3031
  • Herst. Teile-Nr. IRFS7734TRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
939,20 €(ohne MwSt.)
1,174 €/Stück
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