Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 214 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3031
  • Herst. Teile-Nr. IPB073N15N5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
25,25 €(ohne MwSt.)
5,05 €/Stück
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Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 219-5984
  • Herst. Teile-Nr. IPA80R360P7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
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Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 236 A 245 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 219-6020
  • Herst. Teile-Nr. IPW60R037CSFDXKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
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5,861 €/Stück
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STMicroelectronics SCTH40N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 33 A 250 W, 7-Pin H2PAK
  • RS Best.-Nr. 219-4222
  • Herst. Teile-Nr. SCTH40N120G2V-7
Zwischensumme (1 Stück)
14,93 €(ohne MwSt.)
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Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 218-3086
  • Herst. Teile-Nr. IPW60R180P7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
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Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 82 A 74 W, 8-Pin TDSON
  • RS Best.-Nr. 220-7353
  • Herst. Teile-Nr. BSC061N08NS5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
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STMicroelectronics SCTH40N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 33 A 250 W, 7-Pin H2PAK
  • RS Best.-Nr. 219-4221
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12,016 €/Stück
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 219-6008
  • Herst. Teile-Nr. IPP80R1K4P7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 200 A, 8-Pin PG-HSOF-8
  • RS Best.-Nr. 220-7366
  • Herst. Teile-Nr. IAUT200N08S5N023ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon 600V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin TO-251
  • RS Best.-Nr. 218-3074
  • Herst. Teile-Nr. IPS60R1K5CEAKMA1
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STMicroelectronics STL260N N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
  • RS Best.-Nr. 219-4229
  • Herst. Teile-Nr. STL260N4LF7
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
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Infineon CoolMOS CFD7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 219-5979
  • Herst. Teile-Nr. IPA60R280CFD7XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 220-7390
  • Herst. Teile-Nr. IPB65R065C7ATMA2
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
2.630,00 €(ohne MwSt.)
2,63 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 27 A 68 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 218-3110
  • Herst. Teile-Nr. IRFR4105TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
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Infineon 700V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 4 A 42 W, 3-Pin IPAK
  • RS Best.-Nr. 218-3080
  • Herst. Teile-Nr. IPSA70R2K0CEAKMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
20,80 €(ohne MwSt.)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A 179 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 220-7379
  • Herst. Teile-Nr. IPB033N10N5LFATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
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2,221 €/Stück
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Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 219-5988
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
51,25 €(ohne MwSt.)
1,025 €/Stück
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 219-6006
  • Herst. Teile-Nr. IPP65R225C7XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
78,25 €(ohne MwSt.)
1,565 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 220-7340
  • Herst. Teile-Nr. AUIRF1404STRL
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
2.420,80 €(ohne MwSt.)
3,026 €/Stück
Derzeit nicht erhältlich
STMicroelectronics SCTH70N 1, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7
  • RS Best.-Nr. 219-4224
  • Herst. Teile-Nr. SCTH70N120G2V-7
Zwischensumme (1 Stück)
97,55 €(ohne MwSt.)
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