Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon OptiMOS-T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 50 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 214-9022
  • Herst. Teile-Nr. IPB50N12S3L15ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 15 A 2.5 W, 6-Pin MG-WDSON
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onsemi NTP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-8911
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Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-9031
  • Herst. Teile-Nr. IPD14N06S280ATMA2
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 620 mA 0.5 W, 3-Pin SC-59
  • RS Best.-Nr. 215-2468
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Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET
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Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-9083
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Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 360 A 417 W, 7-Pin TO-263
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 214-9010
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Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 58 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 215-2505
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Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 94 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-9055
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 30 W, 6-Pin DirectFET
  • RS Best.-Nr. 215-2448
  • Herst. Teile-Nr. AUIRF7640S2TR
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 50 W, 8-Pin SuperSO
  • RS Best.-Nr. 215-2500
  • Herst. Teile-Nr. IPC70N04S54R6ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 36 W, 8-Pin SuperSO
  • RS Best.-Nr. 215-2464
  • Herst. Teile-Nr. BSC094N06LS5ATMA1
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1.400,00 €(ohne MwSt.)
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET
  • RS Best.-Nr. 215-2449
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Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 107 A 136 W, 8-Pin PDFN56
  • RS Best.-Nr. 216-9660
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Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 101 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 214-9119
  • Herst. Teile-Nr. IPW65R125C7XKSA1
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4,244 €/Stück
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 52 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 215-2473
  • Herst. Teile-Nr. BSZ146N10LS5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
24,24 €(ohne MwSt.)
1,212 €/Stück
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 105 A 69 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 215-2471
  • Herst. Teile-Nr. BSZ040N04LSGATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)
17,64 €(ohne MwSt.)
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