Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 177 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3025
  • Herst. Teile-Nr. IPB017N08N5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
25,97 €(ohne MwSt.)
5,194 €/Stück
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STMicroelectronics RF3L05150CB4 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 90 V / 2.5 A, 5-Pin LBB
  • RS Best.-Nr. 218-4818
  • Herst. Teile-Nr. RF3L05150CB4
Zwischensumme (1 Rolle mit 100 Stück)
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Infineon 500V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 6.6 A, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 218-2993
  • Herst. Teile-Nr. IPA50R950CEXKSA2
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
26,65 €(ohne MwSt.)
0,533 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 28 A 89 W, 2-Pin DirectFET
  • RS Best.-Nr. 218-3101
  • Herst. Teile-Nr. IRF6775MTRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 4800 Stück)
3.705,60 €(ohne MwSt.)
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Infineon StrongIRFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 483 A, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 218-3094
  • Herst. Teile-Nr. IRF100P218XKMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3097
  • Herst. Teile-Nr. IRF6215STRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
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Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13.8 A 104 W, 3-Pin TO-247
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Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 300 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3028
  • Herst. Teile-Nr. IPB044N15N5ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3027
  • Herst. Teile-Nr. IPB027N10N5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 100 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 220-7386
  • Herst. Teile-Nr. IPB100N08S2L07ATMA1
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Infineon IRFS7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 426 A 375 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3122
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 220-7347
  • Herst. Teile-Nr. AUIRFR48ZTRL
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
12,30 €(ohne MwSt.)
2,46 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 218-3128
  • Herst. Teile-Nr. IRLR2703TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
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Infineon 700V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 4 A 42 W, 3-Pin IPAK
  • RS Best.-Nr. 218-3079
  • Herst. Teile-Nr. IPSA70R2K0CEAKMA1
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 270 A 300 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 220-7343
  • Herst. Teile-Nr. AUIRF2804STRL
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9,78 €(ohne MwSt.)
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Infineon 500V CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.8 A 25 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 218-3047
  • Herst. Teile-Nr. IPD50R1K4CEAUMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)
25,00 €(ohne MwSt.)
0,50 €/Stück
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Infineon 500V CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.8 A 25 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 218-3046
  • Herst. Teile-Nr. IPD50R1K4CEAUMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
507,50 €(ohne MwSt.)
0,203 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 218-3124
  • Herst. Teile-Nr. IRFS7730TRL7PP
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
23,09 €(ohne MwSt.)
4,618 €/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 218-3127
  • Herst. Teile-Nr. IRLR2703TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
530,00 €(ohne MwSt.)
0,265 €/Stück
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Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 219-6007
  • Herst. Teile-Nr. IPP65R225C7XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
15,28 €(ohne MwSt.)
3,056 €/Stück
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