ams OSRAM

Optokoppler und Photodetektoren

Kategorie

Optokoppler und Photodetektoren
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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,444 €
    Stück (In einer VPE à 10)
ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1000µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,51 €
    Stück (In einer VPE à 5)
ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypDIP
  • VerstärkerfunktionNein
  • Montage TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • 3,174 €
    Stück (In einer VPE à 5)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.12µs
  • Regelanstiegszeit12µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.5800µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,70 €
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 1000)
ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • VerstärkerfunktionNein
  • Montage TypTHT
  • Anzahl der Pins2
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • 0,245 €
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin T1.3/4
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.14µs
  • Regelanstiegszeit14µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.12500µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,328 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm / 2600μA, 3-Pin DIP
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.24µs
  • Regelanstiegszeit24µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.2600µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,474 €
    Stück (In einer VPE à 10)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.14µs
  • Regelanstiegszeit14µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.12500µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,444 €
    Stück (In einer VPE à 10)
ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.80µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,334 €
    Stück (In einer VPE à 5)
ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm / 2600μA, 3-Pin DIP
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.24µs
  • Regelanstiegszeit24µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.2600µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,328 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypDIP
  • Montage TypSMD
  • VerstärkerfunktionNein
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • 0,172 €
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 2000)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 12μs, 740nm → 1070nm / 4800μA, 2-Pin 3mm
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.12µs
  • Regelanstiegszeit12µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.4800µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 1,114 €
    Stück (In einer VPE à 5)
ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypT1.3/4
  • VerstärkerfunktionNein
  • Montage TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
  • 0,204 €
    Stück (In einer VPE à 10)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 12μs, 740nm → 1070nm / 4800μA, 2-Pin 3mm
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.12µs
  • Regelanstiegszeit12µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.4800µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,205 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.80µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,157 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1000µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 1,395 €
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.12µs
  • Regelanstiegszeit12µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.5800µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 13,29 €Stück
ams OSRAM THT Fotodetektor-Array, 850nm, 6-Pin DIP
  • Anzahl der Pins6
  • Montage TypTHT
  • GehäusetypDIP
  • Abmessungen7.4 x 2.1 x 3.6mm
  • Wellenlänge min.850nm
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 2,669 €
    Stück (In in einem Beutel mit 1000)
ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 18μs, 450nm → 1120nm / 1500μA, 3-Pin TO18
  • Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
  • Fallzeit typ.18µs
  • Regelanstiegszeit18µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1500µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,132 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Fallzeit typ.7µs
  • Regelanstiegszeit7µs
  • Anzahl der Kanäle1
  • Lichtstrom max.1000µA
Vergleichbare Produkte in "Fototransistoren"
  • 0,329 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
  • Erkennbare SpektrenIR
  • Wellenlänge der max. Empfindlichkeit900nm
  • GehäusetypDIP
  • Montage TypSMD
  • VerstärkerfunktionNein
Vergleichbare Produkte in "Fotodioden"
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