Renesas Electronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 5,324 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 2,122 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.40 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,308 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 6,07 €Stück
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • Serie2SK1317
  • GehäusegrößeSC-65
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,671 €
    Stück (In einer Stange von 60)
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeQFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,70 €Stück
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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