Renesas Electronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,635 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 1,06 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.40 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,632 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,114 €
    Stück (In einer Stange von 800)
Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,637 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
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