Renesas Electronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 1,081 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeWPAK
  • SerieBEAM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,308 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 6,657 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.1500 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 6,23 €Stück
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeQFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,626 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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