Semikron

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 40,14 €Stück
Semikron SCR Modul Zweifachthyristormodul 40A SEMIPACK1 1600V 1kA
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom1kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • 108,98 €Stück
Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 26,67 €Stück
Semikron Brückengleichrichter, 3-phasig 27A 1800V THT DBi P Array 6 5-Pin
  • Brücken-Typ3-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert27A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1800V
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDBi P
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • 81,786 €
    Stück (In einer Box à 8)
Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±15.0V
  • Anzahl an Transistoren1
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 255,72 €Stück
Semikron IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.616 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.20V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationDual
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 40,00 €Stück
Semikron SCR Zweifachthyristormodul 40A SEMIPACK1 1600V 1000A
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeSEMIPACK1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Spitzenstrom1000A
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • 279,17 €Stück
Semikron SCR Thyristormodul 250A A 73b 1200V
  • On-State Strom durchschnittlich250A
  • Thyristor-TypSCR
  • GehäusegrößeA 73b
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Gate-Triggerstrom max.200mA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
  • 254,77 €Stück
Semikron IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.616 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.20V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationDual
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 206,04 €Stück
Semikron IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.422 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.20V
  • Anzahl an Transistoren2
  • KonfigurationDual
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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