Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,192 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 20 V 140 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.140 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung20 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,47 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,63 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • SerieFemtoFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,711 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,593 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,447 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieFemtoFET
  • GehäusegrößePICOSTAR
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,422 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeSON
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,912 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 54 A 79 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.54 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,34 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 204 A 3,2 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.204 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,388 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,187 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 1,88 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,146 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeWSON
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,202 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 204 A 3,2 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.204 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,15 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeWSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,518 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.104 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,128 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, THT PDIP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,824 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,456 €
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Paar 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,529 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.104 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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