Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,168 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SJ 2SJ343(F) P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 0.05 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.0.05 A
  • Drain-Source-Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSMini
  • Serie2SJ
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,462 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,128 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,84 €Stück
Toshiba TK TK35N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,205 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba 2SC3324-GR(TE85L,F SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,048 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1108(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,103 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SSM3K15FU(TE85L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-323
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,346 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba U-MOSVIII-H TK72E08N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 157 A 192 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,008 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,37 €Stück
Toshiba TK TK39A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,158 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3K335R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,625 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,511 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.150 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPHR8504PL
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 7,48 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK090N65Z TK090N65Z,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090N65Z
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,036 €
    Stück (In einer VPE à 500)
Toshiba TBC847B,LM(T SMD, NPN Transistor 50 V / 200 mA, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.200 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,75 €Stück
Toshiba TK TK100E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 214 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.214 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,082 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T SMD, PNP Transistor Dual –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeSOT-363 (SC-88)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,504 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TJ9A10M3,S4Q(M P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9 A 19 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,303 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba TK8P25DA,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 7,5 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.250 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,706 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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