Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,448 €
    Stück (In einer VPE à 6)
Toshiba TK TK46A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,137 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 SSM3K16FS(TE85L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SSM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieSSM3
  • GehäusegrößeSSM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,58 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK4013,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeSC-67
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,806 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,34 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV TK16E60W5,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,847 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPH TPH8R80ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOP erweitert
  • SerieTPH
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,131 €
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 10)
Toshiba 2SK 2SK1829(TE85L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeUSM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 7,62 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,37 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,153 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,766 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK46A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,082 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 12V / 50mA, 3-Pin SC-59
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-59
  • Dauer-Durchlassstrom max.50mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch12V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 1,25 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH TPH8R80ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTPH
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,828 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,081 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1162-Y(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,693 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK100A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,081 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba 2SK 2SK1829(TE85L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUSM
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,706 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK32A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,505 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Toshiba TK TK100A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,156 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Isoliert, 85V / 100mA, 4-Pin SC-61
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-61
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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