Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 1,193 €
    Stück (In einer VPE à 8)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,024 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,253 €
    Stück (In einer VPE à 6)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,52 €Stück
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,138 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeTSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,766 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,81 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,693 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,01 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,544 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,109 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1162-Y(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,847 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOP erweitert
  • SerieTPH
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,25 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTPH
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,546 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeSC-67
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,275 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,07 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,7 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,661 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.168 A
  • Drain-Source-Spannung max.75 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,104 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,2 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUF6
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,058 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode, 3-Pin, SMD USM
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Betriebstemperatur min.-55 °C
  • Abmessungen2 x 1.25 x 0.9mm
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,317 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.0.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeSMini
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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