STMicroelectronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,854 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:750, TO-220 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.8 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,125 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 150V / 3A, 2-Pin DO-214AA (SMB)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AA (SMB)
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch150V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 1,462 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.65 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,474 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 150V / 3A, 2-Pin DO-214AA (SMB)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AA (SMB)
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch150V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,795 €
    Stück (In einer Stange von 50)
STMicroelectronics STripFET II STP60NF06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 150 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieSTripFET II
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,368 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 69.7V 37.1V min., 2-Pin, SMD 33.3V max SMC
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.69.7V
  • Durchschlagspannung min.37.1V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,649 €
    Stück (In einer VPE à 10)
STMicroelectronics STripFET STD30NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieSTripFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,337 €
    Stück (In einer VPE à 20)
STMicroelectronics SMD Diode, 200V / 4A, 2-Pin DO-214AA (SMB)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AA (SMB)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,107 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
STMicroelectronics SMD Diode, 200V / 4A, 2-Pin DO-214AA (SMB)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AA (SMB)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,677 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
STMicroelectronics STripFET STD30NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieSTripFET
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,818 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.65 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 7,49 €Stück
STMicroelectronics TRIAC 40A RD-91 Tafelmontage Gate Trigger 1.3V 100mA, 600V, 600V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeRD-91
  • Gate-Triggerstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 6,488 €
    Stück (In in einem Beutel mit 25)
STMicroelectronics TRIAC 40A RD-91 Tafelmontage Gate Trigger 1.3V 100mA, 600V, 600V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeRD-91
  • Gate-Triggerstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 0,882 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 69.7V 37.1V min., 2-Pin, SMD 33.3V max SMC
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.69.7V
  • Durchschlagspannung min.37.1V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,946 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics STripFET II STP60NF06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 150 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieSTripFET II
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,103 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
STMicroelectronics TRIAC 1A SOT-223 SMD Gate Trigger 1.3V 7mA, 600V, 600V 3+Tab-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich1A
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Gate-Triggerstrom max.7mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 0,708 €
    Stück (In einer Stange von 50)
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:750, TO-220 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.8 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,436 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 40V / 3A, 2-Pin DO-214AB (SMC)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDO-214AB (SMC)
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch40V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 1,868 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP3NK90Z N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieMDmesh, SuperMESH
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,872 €
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:200, TO-220 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.8 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
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