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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,079 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba NPN Darlington-Transistor 400 V 6 A HFE:100, TO-220SIS 3-Pin
  • 0,657 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba NPN Darlington-Transistor 400 V 6 A HFE:100, TO-220SIS 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.6 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung400 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Toshiba TK TK58A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,738 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK58A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.58 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3J351R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,181 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3J351R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3K341R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,332 €
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3K341R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK60S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,298 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK60S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba RN1107(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • 0,08 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1107(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK100S04N1L N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,614 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK100S04N1L N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 15V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • 0,115 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode , 15V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-523
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch15V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,101 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK72A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,702 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK72A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • 6,71 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090A65Z
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK16A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,58 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK16A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,181 €
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK58A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,798 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK58A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.58 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1.5A, 2-Pin S-FLAT
  • 0,071 €
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1.5A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,774 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 30V / 300mA, 2-Pin SOD-523
  • 0,117 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode , 30V / 300mA, 2-Pin SOD-523
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-523
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 5,13 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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