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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,515 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TJ15P04M3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.15 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba U-MOSVIII-H TPH11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 32 A 21 W, 8-Pin SOP
  • 0,165 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba U-MOSVIII-H TPH11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 32 A 21 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.32 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOP
  • SerieU-MOSVIII-H
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1A, 2-Pin S-FLAT
  • 0,261 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • 4,535 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK090A65Z
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • 2,314 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.136 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,378 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
  • 0,545 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.65 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,706 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba T2N7002BK N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,061 €
    Stück (In einer VPE à 100)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba T2N7002BK N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.400 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • 0,126 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Toshiba SSM3K361R,LF(B N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 2,4 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,222 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K361R,LF(B N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3,5 A 2,4 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • 1,511 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.150 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPHR8504PL
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SA1244-Y(T6L1,NQ) SMD, PNP Transistor –50 V / –5 A, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • 0,812 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1244-Y(T6L1,NQ) SMD, PNP Transistor –50 V / –5 A, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 2,04 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK55S10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 157 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP
  • 1,088 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.93 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SA1162-GR,LF(T SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, TO-236MOD (SC-59) 3-Pin
  • 0,082 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba 2SA1162-GR,LF(T SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, TO-236MOD (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeTO-236MOD (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK10J80E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 3,302 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK10J80E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • 13,14 €Stück
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090Z65Z
  • GehäusegrößeTO-247-4
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • 2,238 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.150 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPHR8504PL
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20A60W,S5VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,782 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK20A60W,S5VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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