Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,386 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK30J25D,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.250 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,268 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3J351R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,059 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 SSM3J16FS(TE85L,F) P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SSM
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieSSM3
  • GehäusegrößeSSM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,08 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1106(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,06 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 15V / 200mA, 3-Pin SMini
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSMini
  • Dauer-Durchlassstrom max.200mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch15V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,831 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TPN2R304PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,044 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SSM3K16FU(F) N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin USM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUSM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,46 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV TK11P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11,1 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,106 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,2 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUF6
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,022 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 13,14 €Stück
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090Z65Z
  • GehäusegrößeTO-247-4
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,238 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPHR8504PL TPHR8504PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.150 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPHR8504PL
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,174 €
    Stück (In einer VPE à 30)
Toshiba SSM3J334R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,059 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode, 3-Pin, SMD USM
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Betriebstemperatur min.-55 °C
  • Abmessungen2 x 1.25 x 0.9mm
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,242 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeSMV
  • Pinanzahl5
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • 2,218 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK10J80E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,059 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 300mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-323 (SC-70)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,15 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3J328R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,044 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH3R704PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 92 A 81 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.92 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,04 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba T2N7002BK N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 400 mA 1 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.400 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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