Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,856 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV TK20N60W5,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,101 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3J328R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,39 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,151 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,888 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247-4
  • SerieTK090Z65Z
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,25 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,916 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK20A60W5,S5VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,059 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode, 3-Pin, SMD USM
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Betriebstemperatur min.-55 °C
  • Betriebstemperatur max.+125 °C
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 1,984 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba U-MOSVIII-H TK100E06N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.263 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,54 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK20A60W,S5VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,151 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3K329R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,02 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba T2N7002AK,LM(T N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,115 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.700mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch400V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 1,777 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK100E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 214 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.214 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,873 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPHR8504PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.340 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,224 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieTPC
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,776 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba TPH3R704PC TPH3R704PC,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 82 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPH3R704PC
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,462 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK20E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,346 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba U-MOSVIII-H TK72E08N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 157 A 192 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,154 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK209-GR(TE85L,F), S-MINI 3-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeS-MINI
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "JFET"
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