Toshiba

Diskrete Halbleiter

Kategorie

Anzeige 301 - 320 von 324 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode , 85V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • 0,076 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode , 85V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-523
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK39A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 4,37 €Stück
Toshiba TK TK39A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
  • 0,041 €
    Stück (Auf einer Rolle von 8000)
Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.250 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-723
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 2,625 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,462 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,783 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK090N65Z TK090N65Z,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-247
  • 7,48 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK090N65Z TK090N65Z,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK090N65Z
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3K335R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • 0,158 €
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3K335R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba DTMOSIV TK6P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,605 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba DTMOSIV TK6P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • 0,05 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK209-GR(TE85L,F), S-MINI 3-Pin
  • 0,374 €
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK209-GR(TE85L,F), S-MINI 3-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeS-MINI
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "JFET"
Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • 0,496 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TJ8S06M3L P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,474 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TJ8S06M3L P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode Isoliert, 45V / 100mA, 4-Pin SC-61
  • 0,307 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode Isoliert, 45V / 100mA, 4-Pin SC-61
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-61
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba SSM3K329R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,101 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K329R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC3326-B(F) SMD, NPN Transistor 20 V / 300 mA 30 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,20 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC3326-B(F) SMD, NPN Transistor 20 V / 300 mA 30 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.300 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung20 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,117 €
    Stück (In einer VPE à 100)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,987 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK42A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPC TPCA8052-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 30 W, 8-Pin SOP erweitert
  • 0,366 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TPC TPCA8052-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 30 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPC
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • 1,702 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.168 A
  • Drain-Source-Spannung max.75 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter
069/5800 14 234
kunden.service@rs.rsgroup.com
Services
Über RS
Unsere Highlights
Rufen Sie uns an
069/5800 14 234
© RS Components GmbH
Mainzer Landstraße 180, 60327 Frankfurt am Main
Payment options